1986年,MO源作為前驅(qū)體核心材料納入國家高技術發(fā)展計劃。
2000年,南大光電成立,MO源成功實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,成功打破“巴統(tǒng)”和國外公司的技術壟斷,并在“神舟”飛船、“東4”大衛(wèi)星平臺系列衛(wèi)星等航天器的太陽能電池上成功得到運用。
2016 年,承接國家“02-專項”,現(xiàn)已建成具備合成、純化、分析、封裝等功能的ALD前驅(qū)體研發(fā)中心和生產(chǎn)線,完全滿足相關芯片產(chǎn)品的制造要求。
2017年11月,引入陶氏化學的高K三甲基鋁生產(chǎn)線,2020年10月正式投產(chǎn),在開發(fā)高端半導體的進程中,扮演關鍵材料供應商的重要市場角色。 2020年12月,跨國并購杜邦集團19項專利資產(chǎn)組,6項技術屬于全球首創(chuàng)技術,一舉邁入國際領先的前驅(qū)體材料企業(yè)行列。
2013年,獲得國家“02-專項”高純特種電子氣體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目支持。
2016年,經(jīng)過3年的技術開發(fā),成功實現(xiàn)了國內(nèi)30年未能解決的高純砷烷、磷烷等特種電子氣體的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化難題,一舉打破了國外技術封鎖和壟斷,為我國極大規(guī)模集成電路制造提供了核心原材料。
目前,砷烷品質(zhì)己達到7N,技術居全球前列,產(chǎn)能躍居全球第一,并進入國際一流公司供應鏈。磷烷的技術水平也已居全球前列,產(chǎn)能為全球第二。
2019年8月,南大光電成功并購飛源氣體,開始布局氟系列電子特氣。依托南大光電客戶、機制和技術優(yōu)勢,進行60多項技術創(chuàng)新,迅速提升產(chǎn)能、品質(zhì),降低成本,二年實現(xiàn)三氟化氮產(chǎn)能4000噸、六氟化硫產(chǎn)能3000噸,成本全球領先,產(chǎn)能國內(nèi)第二、全球第三。
一是擴展現(xiàn)有高純磷烷、高純砷烷氫類電子特氣,進軍氟系、硅系和硼系特種氣體;
二是持續(xù)開發(fā)先進純化工藝、先進吸附劑及負壓安全吸附技術以及特種氣體廢氣處理材料,提升電子特氣產(chǎn)品純度,尤其7N級別高純磷烷砷烷、5N級別BF3等高端領域的應用;
三是 “123”新奮斗目標:在內(nèi)蒙古打造一個世界級的氟硅電子材料基地,實現(xiàn)“綠色能源+綠色制造”,以“雙綠”躋身世界;培養(yǎng)三個世界單項冠軍。
2017年,公司承接國家“02-專項”高分辨率光刻膠產(chǎn)品關鍵技術的研究項目,達到光刻膠基礎配方分辨率相關技術節(jié)點要求和項目原定的技術指標要求,得到了“02-專項”項目驗收專家組的高度認可。
2018年,02重大專項實施管理辦公室決定由我司承擔193nm浸沒式光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目,向我國真正擁有ArF光刻膠產(chǎn)品的方向繼續(xù)邁進。
2019年底,公司在寧波市北侖區(qū)完成了第一條光刻膠生產(chǎn)線建設,產(chǎn)能達到10噸/年的規(guī)模, 第二條光刻膠生產(chǎn)線于2020年完成建設,總產(chǎn)能達到25噸/年。同時在國家重大科技攻關項目的支持下,向光刻膠配套原材料領域展開技術攻關。
2020年4月,成為中國首個購買ASML 193nm浸沒式光刻機的電子材料企業(yè)。
2020年底和2021年5月,193nm ArF光刻膠先后通過存儲和邏輯兩家芯片制造企業(yè)的驗證,為量產(chǎn)打下了堅實基礎,成為國內(nèi)首個通過驗證的ArF光刻膠產(chǎn)品,ArF光刻膠研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化取得關鍵性突破,被列為國家攻克“卡脖子”工程的標桿。
2021年建黨100周年前夕,順利通過國家“02-專項”驗收。